型号:IPB180N03S4L-H0 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | 描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 180A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 0.95 毫欧 @ 100A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.2V @ 200µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 300nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 23000pF @ 25V |
功率_最大 | 250W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
供应商设备封装 | PG-TO263-7-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
瀚佳科技(深圳)有限公司 | 李小姐0755-23915992/23140719 |
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